原神3.8版即将上线,小伙伴们对此次更新更多的是关心UP卡池吧,那么3.8版本会有哪些角色和新内容呢?今天为大家带来一期原神3.8版优菈机制详解,感兴趣的小伙伴一起来看看吧,希望能帮助到你们。
原神3.8版优菈机制详解
角色机制概要
1、抽取建议:就强度党而言,从深渊1.0至今,没有多少有利于物理队的环境,因此优菈作为一名主C角色可抽可不抽。
优菈一半伤害来源于她元素爆发光剑最后的爆炸伤害,此伤害是有一小段时间延迟的,导致经常有空大的情况,如果介意空大不想凹的话也推荐不抽。
除此之外若想玩玩非(停顿一下)主流元素反应的队伍(物理,纯色),优菈作为物理天花板,可以一抽。在这不得不吐槽一句,物理队阵容在深渊中可以说永远都不会针对(无物免怪),也可以说永远被针对(散怪以及物抗怪情况居多)。
最后不得不提醒一下,对于XP玩家如果想让低命优菈下深渊,队伍中恰巧有班尼特情况时,可以带一个2命雷神补充优菈的真空期,否则在如今环境中会很难受。可能会有人说为啥不把优菈优化出去来打雷九,那是因为这是优菈攻略而不是雷神攻略(恼)。
2、低命时优菈的主要输出手段是依靠Q的光剑以及叠层过程中双E与A,因此对于点了6命班尼特的玩家,我深表同情。当然也不是不能玩,只需要搞个雷神2命一起打双核也不是不行(坏笑)。或者选择摆烂,加入种门神教。
3、因为优菈是一名周期爆发型的物伤角色,由自身/队友打出超导反应后即可输出。优菈核心输出就在Q上,而且在角色等级突破20级后解锁的固有天赋[潮卷冰削],双层E被动下长按E还能给大招快速叠层,简单来说优菈在两层冷酷之心(E的被动叠层)时长按E会打出4段伤害,分别是长按E、两个冰涡剑和一个残缺光剑,这也就给Q瞬间叠了4层。
Q不锁面板,会根据光剑抬起爆炸一瞬间以优菈面板攻击力结算,且天赋[潮卷冰削]给的残缺光剑吃的是Q的50%光剑基础倍率,即两层冷酷之心后的长按E光剑倍率和Q等级有关,因此优菈天赋建议优先升级Q,后点A,最后点E即可。
4、物理输出中的拐---超导反应,是冰雷反应,反应后元素无残留,且会造成一段冰元素伤害,还会降低敌人40%的物理抗性,持*12*。
因为优菈是冰元素,理论可以吃到双冰共鸣的加成,即白嫖15%暴击率,因此需要另一个高频挂冰角色(比如修女罗莎莉亚)来覆盖其他元素确保敌人身上始终为冰元素附着。且修女Q额外提供暴击,解锁6命还会降低敌人20%物抗。当然也不是强求需要双冰共鸣,面板上的暴击率不低于70%以下时可以不用带,从而选择更优解。
5、合理运用冷酷之心2层的残缺光剑伤害,EA叠层同时辅助输出。
消耗两个E的被动即可产生一次额外的残缺光剑的伤害,此伤害类型为元素爆发类,能在Q期间叠层,伤害判断范围是一个圆柱形范围,因为有延迟,可以随人物快速移动而改变攻击范围,能击破类似[遗迹龙兽·地巡]这种低空弱点,合理运用这一特性会在部分场合发挥奇效。
6、优菈的伤害主要来源于Q,而Q的最终伤害又受层数影响,因此叠层手法很关键。
其中有几个细节需要注意:
第一点就是Q期间优菈仅自身攻击(A,E,Q)能叠层,且武器伤害(天空之傲)与重击不能叠层;开Q的那一次伤害在光剑形成之前,不加入叠层;上述的Q指的是两层冷酷之心长按E后最后的那一下算Q伤害类型,可以叠层。
第二点就是并不是每次攻击都能叠层,叠层是有0.1秒cd的,同时打到多个怪或者0.1秒内打出多次伤害都只能叠一层。
第三点就是层数受攻速影响,攻速又和游戏帧率相关,若想稳定多叠层,建议在PC(电脑)端60帧下游玩该NPC,手机端因为设备受限,有概率会出现掉层。
总结
优菈一套A有5段动作,在第3、5段的动作下的A是有两次伤害,且独立叠层,因此一套普攻可以叠7层,但是第5段有后摇,需要冲刺取消后摇,不过还有简易手法就是在第4次A后接长按E,上面手法就是在第4A后长按E来叠层的。
优菈eQ后已有两层冷酷之心,打出第4段A后就已经有5层了,再接E打出小爆发叠4层,因为E最后那段小光剑出伤有延迟,因此要稍微停顿一下(叠层0.1秒CD)再接4套A,最后以4A背后收剑的优雅动作收尾即可打出最高层(lsp们如果不清楚停顿多久,就看看优菈的腿,E后双脚着地即可接后续A)。
还有一点值得注意,就是Q的光剑抬起来以后就不能叠层,最后第4A上挑动作就是在光剑抬起后打出的,无法叠层,因此总层数是5+4+4=13层。但是再有专武的情况下最后上挑能稳定叠出,也就是说专武优菈最多最稳定为14层。
【来源:外网】RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。
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