宝格丽是哪个国家的牌子国家的(BVLGARI 品牌档次)
BVLGARI是世界领先的奢侈品牌,以其精美的珠宝、手表、香水、配饰和皮具而闻名。尽管它是意大利最著名的品牌之一,但它实际上是由希腊银匠SotiriosVoulgaris和他的儿子们创立的,他们将其变成了全球最知名的品牌之一。
BVLGARI 是世界领先的奢侈品牌,以其精美的珠宝、手表、香水、配饰和皮具而闻名。
商标通常以古典拉丁字母拼写为BVLGARI(古羅馬字沒有U,所以BULGARI亦正確)
尽管它是意大利最著名的品牌之一,但它实际上是由希腊银匠 Sotirios Voulgaris 和他的儿子们创立的,他们将其变成了全球最知名的品牌之一。
Sotirios Voulgaris 于 1857 年 3 月出生于希腊的 Kalarites 村庄,在他的家乡 Paramythia(希腊伊庇鲁斯)开始了他的珠宝商职业生涯。他的父母是 George Voulgaris 和 Eleni Strougari。
该家族的 11 个孩子中,Sotiris Voulgaris 是唯一幸存下来并成功继承家族传统的孩子。对珠宝的热情始于他的祖父康斯坦丁,他是伊庇鲁斯村庄的街头小贩。创造金银珠宝的才能由索提里斯继承,他与父亲在帕拉米西亚开了一家商店。
当时,Paramythia 和该地区的其他村庄正面临着仍然占领伊庇鲁斯的奥斯曼当局的问题。村庄的反复焚烧和商店的严重损坏迫使宝格丽家族搬到科孚岛,然后搬到意大利的那不勒斯。
在那不勒斯,这家人开设了他们的第一家黄金珠宝店。然而,这座城市的犯罪现象严重,给他们的贵重商品带来了重大问题。在几次入室盗窃后,他们被迫关店。
1881 年,Sotirios Voulgaris 和他的家人搬到了罗马。
三年后的 1884年,他创立了自己的公司,并在 Via Sistina 开设了第二家商店。随后,宝格丽在他的两个儿子康斯坦蒂诺 (1889–1973) 和乔治 (1890–1966) 的帮助下,于 1905年 开设了目前位于康多蒂大街的旗舰店,取代了位于 Via Sistina 的旗舰店。
Voulgaris 家族专门制作独特的银耳环、皮带扣和剑鞘。 Sotirios 在他的父亲那里接受了他的手艺训练,他具有真正的艺术天赋和伟大的商业头脑。
1904 年,Voulgaris 与他的儿子 Konstantinos 和 Giorgios 在 Via Dei Condotti 10 开设了宝格丽旗舰店。宝格丽商店很快就以其奢华、精心制作的希腊和罗马风格设计而闻名,并在访问罗马的富有游客中广受欢迎。
1932 年 Sotirios 去世后,他的儿子接手并赋予它全新的外观和品牌调性,并推出了粉红色和米色意大利大理石,这已成为该品牌的代名词。
兄弟俩也将标志改为BVLGARI,品牌正式起飞。
1966 年 Giorgio 去世后,他的儿子 Gianni 与他的堂兄 Marina 一起领导公司担任联席首席执行官,Marina 是 1970 年代初宝格丽的董事长兼首席执行官。
大约在同一时间,宝格丽在纽约、巴黎、日内瓦和蒙特卡洛开设了第一家国际门店。在整个 1970 年代,宝格丽在国际上野蛮扩张并获得了索菲亚罗兰、奥黛丽赫本和伊丽莎白泰勒等时尚偶像的追捧。
1984 年,Sotirio 的孙子 Paolo 和 Nicola Bulgari 被任命为公司董事长和副主席,侄子
Francesco Trapani 被任命为首席执行官。 Trapani 实现公司多元化的目标始于 1990 年代初宝格丽香水系列的发布。在 Francesco 的领导下,该公司已成为享誉全球的奢侈品品牌。
1995年,公司在意大利证券交易所上市。 1997 年至 2003 年间,该公司的收入增长了 150%。
2011 年 3 月 6 日,法国奢侈品集团 Louis Vitton 宣布以 43 亿欧元(60.1 亿美元)的价格收购宝格丽,高于 LV 对任何其他公司的出价。
而且,宝格丽家族将其50.4%的控股权出售,换取了LVMH集团3%的股份,从而使宝格丽家族成为LVMH继阿尔诺家族之后的第二大家族股东。
或许并不是每一个消费者都需要拥有或者可以拥有一件宝格丽。但是我们从宝格丽品牌及其创始人的故事中或许可以得到一些关于创业关于个人成长的见解。
作为每一个个人来说拥有一些”奢侈“特质的品格比拥有一件奢侈物件更加的可贵。
RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。
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