如下所示:

c = a &^ b

含义:b 转为二进制时,值为1 的位置对应c的位置值为0;c中剩余位置值与a对应位置值相同(即:所谓的位清空操作,把b中1对应位置在c位置上清空),详见下面代码

package main
import "fmt"
func main() {
 a := 12
 b := 4
 c := a &^ b
 fmt.Printf("a: %08b\n", a)
 fmt.Printf("b:%08b\n", b)
 fmt.Printf("c: %#v 二进制:%08b\n",c,c)
 /*输出:
 a: 00001100
 b:00000100
 c: 8 二进制:00001000
 */
}

补充:Golang Slice 删除指定的索引(下标)和 slice 清空 等常用操作

package main 
import (
 "fmt"
)
 
//清空切面元素
func CleanSlice() {
 //方法一 通过 切片赋值 方式 清空
 var Cslice []int = []int{1, 2, 3}
 fmt.Printf("清空前元素:\n")
 fmt.Printf("len:%v\tceanslice:%v\n", len(Cslice), Cslice)
 Cslice = Cslice[0:0]
 fmt.Printf("清空后元素:\n")
 fmt.Printf("len:%v\tceanslice:%v\n", len(Cslice), Cslice) 
}
 
//删除指定的索引元素
func DelIndex() {
 var DelIndex []int
 DelIndex = make([]int, 5)
 DelIndex[0] = 0
 DelIndex[1] = 1
 DelIndex[2] = 2
 DelIndex[3] = 3
 DelIndex[4] = 4
 fmt.Println("删除指定索引(下标)前:")
 fmt.Printf("len:%v\tDelIndex:%v\n", len(DelIndex), DelIndex)
 //删除元素 3 索引(下标) 3
 index := 3
 //这里通过 append 方法 分成两个然后合并
 // append(切片名,追加的元素) 切片名这里我们进行切割一个新的切片DelIndex[:index] 追加的元素将索引后面的元素追加
 // DelIndex[index+1:]...) 为什么追加会有...三个点, 因为是一个切片 所以需要展开
 
 DelIndex = append(DelIndex[:index], DelIndex[index+1:]...)
 fmt.Printf("len:%v\tDelIndex:%v\n", len(DelIndex), DelIndex)
}
func main() {
 CleanSlice()
 fmt.Println()
 DelIndex()
}

切片的反转 reverse

package main 
import "fmt" 
func reverse1(s []int) {
 for i, j := 0, len(s)-1; i < j; i, j = i+1, j-1 {
 s[i], s[j] = s[j], s[i]
 }
}
 
func reverse2(s []int) {
 for i := 0; i < len(s)/2; i++ {
 s[i], s[len(s)-i-1] = s[len(s)-i-1], s[i]
 }
}
 
func main() {
 var s []int = []int{1, 2, 3}
 reverse1(s)
 fmt.Printf("s:%v\n", s)
 fmt.Println()
 reverse2(s)
 fmt.Printf("s:%v\n", s) 
}

以上为个人经验,希望能给大家一个参考,也希望大家多多支持。如有错误或未考虑完全的地方,望不吝赐教。

标签:
golang,&^位清空

免责声明:本站文章均来自网站采集或用户投稿,网站不提供任何软件下载或自行开发的软件! 如有用户或公司发现本站内容信息存在侵权行为,请邮件告知! 858582#qq.com
评论“浅谈golang中的&^位清空操作”
暂无“浅谈golang中的&^位清空操作”评论...

RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存

三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。