战斗基本指令
中文译名 英文名称 日文名称 注解 攻击 Attack たたかう 即是普通攻击。在游戏初期由于攻击力较低,使用魔法或GF效果会比普通攻击好的多。 魔法 Magic まほう 使用各种多样魔法攻击、回复、治疗、支援等等。 抽取→储存 Draw→Stock ドロー→ストック 游戏中取得魔法的最主要途径,可以把魔法储存起来用于融合。魔力值越高的话成功率越高,诱取数量越多,详见“魔法介绍”栏目。 抽取→释放 Draw→Cast ドロー→はなつ 虽然与魔法几乎完全一样,但是只能使用敌人身上的魔法,而且效果不稳定。 GF GF GF 召唤GF进行攻击、支援等行动。在角色HP低的时候还可以用于防御,代替角色承受损伤。 道具 Item アイテム 使用道具在战斗中进行攻击、回复、支援等行动,优于魔法的是可以在沉默状态中使用。
另外,如果不想与敌人交战的话还可以逃跑(PS版为L2+R2,PC版默认Z和C键)
常用词解释
常用词 注解 普通攻击 专指用攻击指令(Attack)来执行攻击。 物理攻击 使用武器攻击的统称。 魔法攻击 使用魔法攻击的统称。 物理伤害 物理攻击造成的伤害。 魔法伤害 魔法攻击造成的伤害。 全体攻击 以敌方队伍整体为对象的攻击。(FF8中没有以敌我双方为对象的攻击) 比率损伤 根据被攻击者的剩余HP或最大HP的量来决定损伤。 濒死 剩余HP在最大HP的25%以下的状态。此时HP数字用黄色表示。 先制攻击 战斗开始时先制攻击的一方ATB量表呈现满的状态,而对方的ATB为零。 偷袭 即是背后攻击,偷袭的一方战斗开始时ATB量表呈现满的状态,被偷袭的一方背对敌人,ATB为零,遭到物理攻击时伤害量为正常的二倍。所以在偷袭敌人时的第一击最好使用物理攻击。 危机一击 也叫会心一击。在物理攻击命中时,随机发生的一种攻击力加倍的攻击,此时画面会闪白光。但是斯考尔或塞法没有这种攻击。 枪刃的追加输入 斯考尔或塞法虽没有危机一击,但是取而代之有一种比较稳定的攻击力增加法——通过其特殊武器枪刃施展追加输入。追加输入的方法为:普通攻击时在即将击中敌人的时候按下枪刃射击键,此时火花闪现,攻击力约为1.5倍。另外 斯考尔的特殊技画面中如果设定了连续剑自动处理的话,会自动以75%的几率自动追加输入。 临界一击 危机一击和枪刃的追加输入的统称
遭遇敌人的法则:
遭遇几率是因地形不同而有所区别的。一般来说,在平地或草原上遇敌几率较低,相对的在森林和沙漠等地几率会较高。如果搭乘交通工具或沿着公路铁路等地走,则不会遭遇敌人。另外,装备遭遇减半(Enc-Half)或免遭遇(Enc-None)能力也会对遇敌几率有影响。
战斗流程分析:
战斗开始的三种情况:
一 最常见的是随机遭遇敌人;
这种情况是不可预知的,在地图上行走时突然直接进入战斗画面,俗称“踩地雷”。
二 剧情战;
往往是先进行一段剧情,言语中已透露出要开战的信息,然后进入战斗画面。
三 与地图上可见的敌人接触,进入战斗画面。
情况很少,如Galbadia学园中的三头犬、仙人掌岛的巨型仙人掌、魔女城堡里的诸BOSS等等。
战斗结束的四种情况:
一 敌人全灭;
战斗后会得到EXP(经验值)、AP(技能点)、道具等。但是BOSS战以及和一些特殊敌人(如Tonberry)的战斗只会得到AP值和道具,而不会得EXP。
用一些特殊的指令消灭敌人也不得EXP,如卡片(Card)和吃(Devour)这两个指令。
另外,以石化敌人来结束战斗不会得到任何东西,不过有一个特殊情况:如果在石化之前对敌人造成了伤害,那么战斗结束后会得到少量的EXP。
二 敌人逃跑;
有个别的敌人会以逃跑来结束战斗,如:仙人掌。
三 我方逃离;
情况与石化类似,也是不得任何东西,并且如果在逃离前伤害敌人的话会得少量EXP。
普通战斗都可以逃离(被偷袭时会难一些),BOSS除了特殊的几例,都不可以逃跑。
可逃跑的BOSS战特例:SeeD实战测试中,在电波塔下与X-ATM092的BOSS战(第一战必须逃离);魔女城堡中的所有BOSS战(包括与Omega Weapon);学园内乱时在MD层与Oilboyle的战斗;Disc3飞空艇内的Boss战等。
四 我方全灭。
最糟糕的结束方式,游戏结束。等着听水晶序曲吧……
清晰起见,下面把上诉关于EXP、AP、物品等取得与否的各个情况如下图
※注:BOSS的定义并不严谨,这里把不得经验值的固定地点战斗认为是BOSS战,得经验值的称为剧情战。
RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。
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