《战国无双4 DX》无双演武模式的流程十分丰富,分为多个章节,且每个章节的内容都很充足,可以让喜爱战国历史的玩家畅玩好久,下面小编就为大家带来一篇“蓝枫”分享的无双演武全任务完成条件一览,一起来看看吧。

《战国无双4 DX》无双演武全任务完成条件一览

无双演武全任务完成条件一览

带☆标记的为奖励任务,奖励任务一般需要到达特定地点或者与特定角色碰面才可出现。

小提示:尽量不要让副将总是跟着自己走,除了个别任务外,让自己的副将去地图其他方向就不会因为换人问题赶不到或者手忙脚乱了。

武田之章

川中岛之战

No.1 山頂を目指せ 中央砦突破 のため、 水原隆家を撃破せよ!

No.2 上杉の次代の壁 上杉景勝 と 直江兼続 を撃破せよ!

No.3 上杉軍の殿 甘粕影持 を撃破せよ!

No.4 通せんぼ 橋を下ろすため、 綾御前 とすべての陰陽師を撃破せよ!

No.5 八万幡包囲網 敵 武将を撃破せよ!

No.6 進軍援護☆ 味方 の進軍援護のため、 敵兵を撃破せよ! 必要武将:真田幸村か真田信之 敵兵200人撃破

No.7 海津城救援☆ 上杉景虎 と 宇佐美常満 と 宇佐美実定 の 海津城 侵入を阻止せよ!可指定副将在水原隆家初期附近待机,敌将出现后遭遇,出现任务后击破

No.8 支えを挫く☆ 善光寺制圧のため、 直江景綱 を撃破せよ!

No.9 雌雄を決す☆ コンボ を達成した状態で、 上杉謙信 を撃破せよ! 必要武将:武田信玄 必要コンボ数:100回

骏河侵攻

No.1 火の如く 敵 兵を撃破せよ! 2分以内に敵兵士100撃破

No.2 さらに烈火の如く 敵 武将を撃破せよ! 4分以内に敵武将3撃破

No.3 一将は得がたし 井伊直虎 を撃破し、 穴山信君 の敗走を阻止せよ!

No.4 虎の焦燥 成田氏直 と 上田朝直 と 垪和康忠 を撃破せよ!M3完成后出现,从山道行军,2分内击破3人即可。

No.5 守る乙女 早川殿 を撃破せよ! 今川氏真开始撤退后出现在地图左下,击破后北条军本队出现。

No.6 内通者を守れ☆ 朝比奈信置 を 山頂砦 まで護衛せよ! M1完成后出现。

No.7 風魔の影☆ 二曲輪猪助 を撃破せよ! 必要武将:くのいち或者左近。其位置在地图中部,完成M6后,向右上方向的据点前进,在山崖边。

No.8 凶風を止めよ☆ 風魔小太郎 を撃破せよ!

No.9 攻める乙女☆ 甲斐姫 の 中央北砦 侵入を阻止せよ!

三方原之战

No.1 勇猛なる三河武士 井伊直虎 らを撃破せよ! 井伊直虎を含め武将5人撃破

No.2 命に代えても 夏目吉信 と 鳥居忠広 を撃破せよ!

No.3 立ちはだかる豪勇 追分橋南門 突破のため、 本多忠勝 を撃破せよ! 制限時間:2分

No.4 最後の砦 稲姫 を撃破せよ!

No.5 三河武士の意地☆ 敵 兵を撃破せよ! 制限時間:2分内敵兵100人撃破

No.6 半蔵の急襲☆ 服部半蔵 の 武田本陣 侵入を阻止せよ! No.8「影は何度でも」発生条件

No.7 直虎の雪辱☆ 南東砦 突破のため、 井伊直虎 を撃破せよ! 德川家康通过一定场所后直虎再登场,接近直虎后发生。

No.8 影は何度でも☆ 服部半蔵 を撃破せよ! M6完成后,在完成M4后,在稻姬所在砦中的右侧据点出现。

建议M1出现后先无视,去地图右上方向,触发M5,然后M5完成的时候,M6出现,M6完成后再完成M1到M4。副将可以丢去地图右侧,等直虎再登场后触发并完成M7。M4完成后,不要急着去完成M8,切记一定要先追家康,遭遇家康后再去完成M8,否则家康有可能逃跑而关卡失败。

长筱之战

No.1 風 濃姫 と 森蘭丸 を撃破せよ! 制限時間:3分

No.2 林 徳川家康 を撃破せよ!

No.3 火 味方 武将救援のため、 前田慶次 らを撃破せよ! 前田慶次と稲姫を含め武将6人

No.4 山 味方 武将が全員退避するまで、 敵武将の 北東砦 への侵入を阻止せよ!主要是黑田官兵卫。建议将副将丢在东北砦的西门外面待命。

No.5 羽柴夫婦発見☆ 羽柴秀吉 と ねね を撃破せよ!M2发生后不去完成,先去地图左下据点,引出猴子夫妇。

No.6 兄弟の絆☆ 協力して 無双奥義 を発動し、 井伊直虎 を撃破せよ! 必要武将:真田幸村和真田信之。

No.7 救援作戦☆ 詰所 を制圧せよ! 必要武将:島左近 2分内封锁4个据点。

No.8 敵討ち☆ 服部半蔵 を撃破せよ!

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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存

三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。